HBM明年过剩?DRAM下行周期何时能触底?高盛深度解析

   发布时间:2024-10-17 21:32 作者:吴婷

近期,HBM作为高性能计算和AI应用的核心存储技术,其市场需求急剧攀升。然而,投资者担忧2025年可能出现供应过剩,DRAM市场的周期性下行风险也随之加剧。对此,高盛在其最新研报中表示,这些担忧或许过早。报告指出,全球主要云计算公司持续加大存储设备投资,供应过剩的情况不太可能发生。同时,先进封装技术如CoWoS的发展,以及主要客户对HBM供应紧张的预期,将进一步推动需求增长。

高盛强调,目前供应商的库存状况相对健康,DRAM市场预计在未来几个季度内将经历一次中周期库存调整。尽管有投资者担忧DRAM市场可能进入长期下行周期,但高盛持谨慎乐观态度,认为市场不会出现大幅度的下行。

在全球存储芯片巨头中,三星电子的股价表现备受瞩目。尽管近期股价有所下滑,但其估值水平已接近历史低位,吸引了众多投资者的关注。投资者特别期待三星电子即将发布的第三季度财报,希望能从中获取更多关于未来市场走向的信息。

相比之下,SK海力士在HBM市场的强劲表现更受投资者青睐。凭借其领先地位,SK海力士在2025年之前预计将持续面临供不应求的市场环境,为其带来了强劲的增长预期。SK海力士计划中的M15X晶圆厂建设也将进一步提升其HBM生产能力,为公司的未来增长提供了有力支撑。

尽管市场存在风险,但投资者对HBM和DRAM市场的看法各异。高盛认为,HBM市场将保持供不应求的状态,而DRAM市场则有望经历中周期库存调整后保持稳定。对于投资者而言,理解这些市场动态并制定相应的投资策略至关重要。

 
 
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