台积电N2P和N2X工艺IP就绪,助力新品设计性能飞跃

   发布时间:2024-11-23 13:12 作者:钟景轩

台积电在近期于其欧洲开放创新平台(OIP)论坛上透露了一个重大消息,标志着半导体制造业即将迈入新的发展阶段。该公司宣布,针对其第二代N2系列制程的性能增强版N2P和N2X工艺技术,相关的电子设计自动化(EDA)工具和第三方知识产权(IP)模块已全面就绪。

据业内消息,Cadence、Synopsys等EDA巨头,以及西门子EDA和Ansys的仿真与电迁移工具,均已通过台积电N2P工艺开发工具包(PDK)0.9版本的认证。这意味着这些工具已准备好支持台积电的第二代N2系列制程,预计大规模生产将在2026年下半年启动。同时,各种第三方IP也已整装待发,预计将在2024年第四季度内面世,为新品设计提供强有力的支持。

台积电在2nm制程节点上引入了GAA晶体管架构,这是相较于3nm制程节点的关键改进之一。高性能金属-绝缘体-金属(SHPMIM)电容器的加入,更是为电源稳定性提供了有力保障。台积电表示,新款电容器的容量密度是其前身(SHDMIM)的两倍多,同时电阻值也大幅下降,进一步提升了制程性能。

在N2系列工艺中,N2P工艺在功耗和性能上实现了双重优化。与第一代N2工艺相比,N2P在相同频率和晶体管数量下,功耗可降低5%至10%;或在相同功率和晶体管数量下,性能可提高5%至10%。而N2X工艺则以其更高的FMAX电压脱颖而出,为数据中心CPU/GPU以及专用ASIC提供了卓越的性能保障。N2P和N2X工艺之间具有高度的兼容性,芯片设计公司无需为两者之间的转换而重新开发设计。

此次台积电宣布EDA工具和第三方IP模块的全面就绪,不仅为新品设计提供了强有力的技术支持,更为半导体制造业的未来发展注入了新的活力。随着N2系列制程的逐步推进,我们有理由相信,半导体行业将迎来一个更加辉煌的明天。

 
 
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