【巨人财经】12月21日消息，英特尔首席执行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)最近在一次采访中表示，英特尔的18A工艺和台积电的N2工艺在性能方面不相上下。然而，在背面供电方面，英特尔则占据了一席之地，受到客户的广泛认可。
基辛格指出，在背面供电技术方面，英特尔提供了更高的面积效率，这意味着更低的成本和更出色的动力输出，同时也带来更高的性能表现。他进一步表示，英特尔的18A工艺在晶体管品质和功率传输方面略微领先于台积电的N2工艺。此外，英特尔还能够提供更有竞争力的价格优势，相对于台积电而言，封装成本更低。
目前，台积电、英特尔和三星都在积极推动代工业务，并在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，三家公司都展示了CFET(Complementary FET)晶体管解决方案。这一堆叠CFET晶体管架构的目标是替代全环绕栅极(GAA)，从而实现下一代晶体管设计的密度翻倍。
根据IEEE Spectrum的报道，英特尔是第一家公开展示CFET解决方案的代工工厂，早在2020年就推出了早期版本。在会议期间，英特尔介绍了使用CFET制造的最简单电路之一，特别关注了逆变器的改进。
英特尔通过将每个器件的纳米片数量从两个增加到三个，并将两个器件之间的间隔从50纳米减少到30纳米，改善了CFET堆栈的电气特性。专家们预计，要实现CFET技术的大规模商业化，可能需要7到10年的时间。
