国光光刻机逼近浸润式DUV,这一步有多远?

   发布时间:2024-10-17 13:07 作者:顾青青

在芯片制造设备领域,光刻机无疑占据着举足轻重的地位,其重要性无可匹敌,同时也是中国面临的最大技术瓶颈。

全球光刻机市场仅由四家厂商主导,其中ASML更是垄断了高端市场,尤其是EUV和浸润式DUV光刻机,几乎完全由ASML说了算。

光刻机的技术不断演进,并与芯片制造工艺紧密相连。从最初的G线到如今的EUV,光刻机已经历了六代的变革。

每一代光刻机都对应着不同的芯片制造工艺,例如EUV光刻机被用于7nm以下的芯片制造,而浸润式DUV则能达到7nm的工艺水平。

那么,国产光刻机目前达到了什么水平呢?上海微电子曾公开过一台分辨率为90nm的ArF光刻机,采用193nm波长的光源,属于干式DUV光刻机。

近期,又有一台国产光刻机亮相,其分辨率为65nm,套刻精度为8nm,同样是一台ArF干式DUV光刻机。

尽管国产光刻机仍落后ASML十多年,但已接近浸润式DUV光刻机的门槛。ArF光刻机最高能支持到65nm工艺,而这台国产光刻机的分辨率正是65nm,已接近其技术极限。

浸润式DUV与干式DUV的主要区别在于,浸润式DUV在晶圆前加了一层介质水,使光线在水中折射,从而提高了分辨率。

因此,国产65nm光刻机已是干式DUV的极限,也是进入浸润式DUV之前的最后一步。只要攻克浸润式系统,国产光刻机就能迈入浸润式阶段。

一旦国产光刻机进入浸润式阶段,将有望实现7nm芯片的全部自给,大大降低对外依赖。届时,无论是ASML还是美国,想要遏制中国芯片产业的发展都将变得更加困难。

因为浸润式光刻机若发挥到极致,不仅可用于7nm芯片制造,甚至5nm也有可能实现。

 
 
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