近日，红旗宣布成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，这一创新之举有望显著缓解用户在驾驶过程中面临的充电焦虑与里程焦虑问题。该成果为未来适应“千伏”以上高压架构的落地，并实现5分钟快速补能的目标奠定了坚实的基础。
据悉，这款功率器件搭载了国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，并创新性地应用了高介电强度封装材料以及高耐压封装结构技术。经过严格测试，该器件的最高母线电压可达到1200V，展现出卓越的性能。
该技术与产品将为补能系统向超高压平台的升级提供有力支持，从而极大地缩短充电时间，提升用户体验。
通过结合高密度元胞并联、短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等一系列先进技术，这款碳化硅功率器件在超高压平台下得以充分发挥其低损耗与高电流输出的综合性能优势。
这一创新不仅有效提升了动力系统的功率密度和效率，还确保了器件在高压、高温环境下的稳定高效运行。这不仅为用户带来了澎湃强劲的驾驶体验，同时也最大程度地节约了整车电耗，进一步提升了续驶里程。
